檢索結果：共56筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本研究以反應式離子束濺鍍沉積摻氮氧化鋅薄膜，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，固定氬氣流量，探討氧氣和氮氣流量對摻氮氧化鋅薄膜的特性研究。實驗結果顯示當氧氣流量介於0.5 ~ 2.0 sccm，…
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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本實驗設計並製造一種利用陽極層離子源的離子束濺鍍模組。此模組將一倒置的環形陽極層離子源與濺鍍靶材做結合，以減少所需的真空腔體。利用此離子束濺鍍模組將氧化銀沉積在石英基板上。研究結果顯示，銀僅在氧氣分…
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜，探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳薄膜， 並且研究氧氣流量比及沉積基板溫度對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在 300℃下的NiO(200)的半高寬會比在 150℃下的NiO(…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本實驗使用離子束濺鍍法在玻璃基板上沉積氧化銦錫薄膜，利用改變基板溫 度及退火溫度來觀察薄膜特性的變化，分別使用室溫、100 及200℃來沉積薄膜。 在室溫下沉積未退火的ITO 薄膜呈現非晶結構，當薄…